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厂商型号

MCH3245-TL-E 

产品描述

TRANS NPN BIPO 2A 50V MCPH3

内部编号

277-MCH3245-TL-E

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:4700
1+¥3.1453
10+¥2.2291
100+¥1.0257
1000+¥0.7863
3000+¥0.6701
9000+¥0.6086
24000+¥0.5675
45000+¥0.5128
99000+¥0.4786
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:108000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MCH3245-TL-E产品详细规格

规格书 MCH3245-TL-E datasheet 规格书
MCH3145,3245
MCH3245-TL-E datasheet 规格书
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 260mV @ 50mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 800mW
频率转换 420MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 3-MCPH
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 420MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 260mV @ 50mA, 1A
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 3-MCPH
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 800mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 100mA, 2V
晶体管极性 NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 0.8 W
直流集电极/增益hfe最小值 200 mA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 SMD/SMT
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 2 A
系列 MCH3245
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 0.8 W

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